Power Amplifier 68W (LM3886)

High Performance 68W Audio Power Amplifier (LM3886) w / Diam

LM3886 yang tinggi adalah kinerja audio power amplifier 68W mampu memberikan rata-rata daya yang berkesinambungan ke 4Ω beban dan 38W ke 8Ω dengan 0,1% (THD + N) dari 20 Hz ± 20 kHz .. The LM3886 mempertahankan yang sangat baik Signal-to-Noise Ratio yang lebih besar dari 92 dB dengan suara rendah khas lantai 2,0 mv. Pameran ini sangat rendah (THD + N) nilai dari 0,03% pada nilai keluaran ke nilai beban atas spektrum audio, dan memberikan excellent linearity dengan IMD (SMPTE) khas rating dari 0,004%. Gambar 2. LM3886 68W High End Power Amplifier Single Supply 68W cont. avg. output daya ke 4Ω di CC V ± 28V  38W cont. avg. output daya ke 8Ω di CC V ± 28V  50W cont. avg. output daya ke 8Ω di CC V ± 35V Keterangan komponen R ID: Kisah sebagai kontrol volume dengan menetapkan tingkat tegangan yang diijinkan pada amplifier input dari terminal.  R: Menyediakan DC tegangan biasing tunggal untuk operasi suplai dan bias sekarang untuk input positif  terminal.  C: Memberikan bias penyaringan. C: Menyediakan AC kopel pada input dan output dari amplifier tunggal untuk suplai operasi. R B: Mencegah dari arus masuk amplifier non-inverting input yang dapat disahkan melalui beban kepada kuasa-down dari sistem karena rendahnya Impedance masukan dari circuitry bila di bawah tegangan circuitry dinonaktifkan. Fenomena ini terjadi ketika pasokan tegangan 1.5V adalah di bawah ini. * C C: Mengurangi yang mendapatkan (bandwidth dari amplifier) pada frekuensi tinggi untuk menghindari kejenuhan oscillations sok-hasil keluaran transistor. Kapasitor yang juga suppresses eksternal electromagnetic beralih kebisingan dibuat dari lampu neon. R i: Inverting perlawanan memberikan masukan AC Dapatkan sehubungan dengan R f1.  C: Tanggapan kapasitor. Menjamin mendapatkan kesatuan di DC. Frekuensi yang rendah juga tiang (highpass roll-off) pada:  f c = 1 / (2π R i C i)  R f1: Tanggapan untuk memberikan perlawanan AC Dapatkan sehubungan dengan R i.  * R F2: Pada frekuensi tinggi umpan balik tahan bekerja sama dengan memberikan Cf rendah AC Dapatkan bersama  dengan R dan R i f1. Frekuensi yang tinggi tiang (lowpass roll-off) yang ada di: c = f [R f1 R F2 (s + 1 / C R F2 f )]/[( R f1 + R F2) (s + 1 / C f (R R f1 + F2))]  * C f: Kompensasi kapasitor yang bekerja sama dengan R f1 dan R F2 untuk mengurangi AC Dapatkan di frekuensi tinggi.  R M: Diam perlawanan mengatur agar 0,5 mA yang akan diambil dari pin 8 untuk menghidupkan fungsi muting off.  RM dihitung menggunakan: RM ≤ (lVEEl - 2.6V) / I8 dimana I8 ≥ 0,5 mA. Rujuk ke Diam  C M: Diam capacitance menyiapkan untuk membuat besar waktu untuk memutar-konstan dan simpangan muting.  * R SN: Bekerja dengan C SN untuk menstabilkan keluaran tahap dengan membuat tiang yang menghilangkan frekuensi tinggi  oscillations.  * C SN: Bekerja dengan R SN untuk menstabilkan keluaran tahap dengan membuat tiang yang menghilangkan frekuensi tinggi oscillations. f c = 1 / (C 2πRSN SN)  * L: Memberikan Impedance tinggi di frequecies tinggi sehingga R Mei decouple yang sangat capacitive beban  * R: dan mengurangi T dari rangkaian sirkuit resonan karena capacitive load. Juga menyediakan rendah  Impedance di frekuensi rendah ke R singkat keluar dan melewati sinyal audio ke beban.  C S: Memberikan listrik dan penyaringan bypassing.  S 1: Tidak bersuara beralih Menonaktifkan musik yang terjadi ketika masuk ke dalam amplifier dibuka. FITUR UMUM Diam Fungsi: The muting fungsi LM3886 memungkinkan pengguna untuk menghilangkan suara musik yang terjadi pada amplifier menggambar oleh kurang dari 0,5 mA dari pin 8 dari perangkat. Hal ini tercapai seperti pada aplikasi di mana Circuit hambat R M dipilih dengan merujuk ke negatif suplai tegangan dan digunakan dalam conjuction dengan beralih. Saklarnya (bila dibuka) luka di bagian saat ini arus dari pin 8 ke V b, sehingga menempatkan LM3886 bisu menjadi siaga. Merujuk pada Attenuation vs Diam Diam Peristiwa Curves dalam Typical Kinerja Karakteristik bagian untuk nilai-nilai per attenuation sekarang dari pin 8. RM resistensi yang dihitung dengan rumus berikut:  RM (lVEEl - 2.6V) / I8  dimana I8 ≥ 0,5 mA. Under-Voltage Perlindungan: Setelah sistem power-up di bawah perlindungan-circuitry memungkinkan tegangan listrik yang sesuai caps dan mereka datang ke atas mereka yang dekat dengan nilai-nilai penuh sebelum kembali pada LM3886 tidak seperti yang terjadi DC output sepatu berduri. Setelah simpangan, output dari LM3886 dibawa ke tanah sebelum pasokan listrik seperti yang terjadi di transients tidak kuasa-bawah. Over-Voltage Protection: The LM3886 berisi overvoltage perlindungan circuitry yang membatasi output untuk saat ini sekitar 11Apeak sementara juga menyediakan tegangan clamping, meskipun tidak melalui internal clamping diodes. Clamping yang sangat berpengaruh yang sama, namun output Transistor dirancang untuk bekerja secara bergantian oleh tenggelamnya besar saat ini sepatu berduri. Spike Perlindungan: The LM3886 dilindungi dari puncak-suhu seketika menekankan oleh kuasa transistor array. Daerah Operasi yang Aman grafik di bagian Typical Kinerja Karakteristik menampilkan perangkat daerah operasi dimana Spike Perlindungan Circuitry tidak diaktifkan. Waveform yang ke sebelah kanan dari grafik SOA exemplifies bagaimana perlindungan dinamis akan menyebabkan waveform distorsi ketika diaktifkan. Thermal Perlindungan: The LM3886 memiliki perlindungan thermal skema canggih untuk mencegah jangka panjang thermal stres ke perangkat. Ketika mati pada suhu mencapai 165 ° C, yang menutup LM3886 bawah. Operasi dimulai lagi mati ketika suhu turun menjadi sekitar 155 ° C, tetapi jika suhu mulai bangkit kembali, kemacetan akan terjadi lagi di 165 ° C. Oleh karena itu perangkat boleh panas sampai suhu yang relatif tinggi jika kondisi kesalahan sementara, tapi kesalahan yang berkelanjutan akan menyebabkan perangkat dalam siklus Schmitt Trigger mode antara thermal shutdown batasan suhu 165 ° C dan 155 ° C. Hal ini sangat mengurangi stres dikenakan di IC oleh thermal bersepeda, yang pada akhirnya akan meningkatkan kehandalan dan berkelanjutan di bawah kondisi kesalahan. Mati karena suhu secara langsung tergantung pada panas tenggelam, panas tenggelam harus dipilih sebagai dibahas dalam Thermal Pertimbangan bagian, antara lain thermal shutdown yang tidak akan tercapai selama normal. Menggunakan terbaik menggunakan panas mungkin tenggelam di dalam ruang dan kendala biaya dari sistem akan meningkatkan kehandalan jangka panjang semikonduktor daya dari setiap perangkat.